|
|
Документация на операционный усилитель LM7301IM.pdf в формате PDF LM7301IM/NOPB
|
|
Операционный усилитель общего назначения LM6132AIM производства NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
Операционный усилитель общего назначения LM392N производства NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
Операционный усилитель общего назначения LM392MX/NOPB производства NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
Операционный усилитель общего назначения LM358P PBF производства TEXAS INSTRUMENTS TI Основные параметры LM358P PBF Число каналов 2 Время нарастания dU/dt 0,3 В/мкс Полоса пропускания 0,7 МГц Напряжение смещения Uсм 7 мВ Коэ
Операционный усилитель общего назначения LM358N PBF производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры LM358N PBF Число каналов 2 Время нарастания dU/dt 0,3 В/мкс Полоса пропускания 0,7 МГц Напряжение смещения Uсм 7 мВ К
Операционный усилитель общего назначения LM358N производства NXP Основные параметры LM358N Число каналов 2 Время нарастания dU/dt 0,3 В/мкс Полоса пропускания 0,7 МГц Напряжение смещения Uсм 7 мВ Коэффициент шумов Nш 40 нВ
Операционный усилитель общего назначения LM358N производства MOTOROLA SEMICONDUCTORS MOT Основные параметры LM358N Число каналов 2 Время нарастания dU/dt 0,3 В/мкс Полоса пропускания 0,7 МГц Напряжение смещения Uсм 7 мВ Коэф
Операционный усилитель общего назначения LM358DT PBF производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры LM358DT PBF Число каналов 2 Время нарастания dU/dt 0,3 В/мкс Полоса пропускания 0,7 МГц Напряжение смещения Uсм 7 мВ
Операционный усилитель общего назначения LM358DR PBF производства TEXAS INSTRUMENTS TI Основные параметры LM358DR PBF Число каналов 2 Время нарастания dU/dt 0,3 В/мкс Полоса пропускания 0,7 МГц Напряжение смещения Uсм 7 мВ К
Операционный усилитель общего назначения LM358D/T3 производства NXP Основные параметры LM358D/T3 Число каналов 2 Время нарастания dU/dt 0,3 В/мкс Полоса пропускания 0,7 МГц Напряжение смещения Uсм 7 мВ Коэффициент шумов Nш