На сайте вы найдете документацию на огромное количество электронных компонентов.

K6X1008C2D-GF70

SRAM память K6X1008C2D-GF70 производства SAMSUNG ELECTRONICS SAM
Основные параметры K6X1008C2D-GF70
Организация памяти 128Kx8
Встроенная батарея нет
Шина данных параллельная
Питание 4,5…5,5 Вольт
Температурный диапазон -40…+85
Корпус SOP32
Дополнительная информация




Документация на SRAM память K6X1008C2D-GF70.pdf в формате PDF K6X1008C2D-GF70




  admin         1908

Прокомментировать страницу

Заголовок (100 символов макс.)

Текс комметария

Последние новости раздела SRAM память

  • Документация и описание на SRAM память  K6X1008C2D-GF55
    admin  2226

    Документация и описание на SRAM память K6X1008C2D-GF55

    SRAM память K6X1008C2D-GF55 производства SAM Основные параметры K6X1008C2D-GF55 Организация памяти 128Kx8 Встроенная батарея нет Шина данных параллельная Питание 4,5…5,5 Вольт Температурный диапазон -40…+85 Корпус

  • Документация и описание на SRAM память  K6X0808C1D-GF55
    admin  1782

    Документация и описание на SRAM память K6X0808C1D-GF55

    SRAM память K6X0808C1D-GF55 производства SAMSUNG ELECTRONICS SAM Основные параметры K6X0808C1D-GF55 Организация памяти 32Kx8 Встроенная батарея нет Шина данных параллельная Питание 5 Вольт Температурный диапазон -40…+85

  • Документация и описание на SRAM память  K6X0808C1D-BF55
    admin  1754

    Документация и описание на SRAM память K6X0808C1D-BF55

    SRAM память K6X0808C1D-BF55 производства SAMSUNG ELECTRONICS SAM Основные параметры K6X0808C1D-BF55 Организация памяти 32Kx8 Встроенная батарея нет Шина данных параллельная Питание 5 Вольт Температурный диапазон -40…+85

  • Документация и описание на SRAM память  K6T4008C1C-GF70
    admin  1655

    Документация и описание на SRAM память K6T4008C1C-GF70

    SRAM память K6T4008C1C-GF70 производства SAMSUNG ELECTRONICS SAM Основные параметры K6T4008C1C-GF70 Организация памяти 512KX8 Встроенная батарея нет Шина данных параллельная Питание 4,5…5,5 Вольт Температурный диапазон -40…+

  • Документация и описание на SRAM память  K6T4008C1C-DB70
    admin  1413

    Документация и описание на SRAM память K6T4008C1C-DB70

    SRAM память K6T4008C1C-DB70 производства SAMSUNG ELECTRONICS SAM Основные параметры K6T4008C1C-DB70 Организация памяти 512KX8 Встроенная батарея нет Шина данных параллельная Питание 4,5…5,5 Вольт Температурный диапазон 0…+70

  • Документация и описание на SRAM память  K6T1008C2E-GF70
    admin  2034

    Документация и описание на SRAM память K6T1008C2E-GF70

    SRAM память K6T1008C2E-GF70 производства SAMSUNG ELECTRONICS SAM Основные параметры K6T1008C2E-GF70 Организация памяти 128Kx8 Встроенная батарея нет Шина данных параллельная Питание 4,5…5,5 Вольт Температурный диапазон -40…+

  • Документация и описание на SRAM память  K6T1008C2E-DB70
    admin  1860

    Документация и описание на SRAM память K6T1008C2E-DB70

    SRAM память K6T1008C2E-DB70 производства SAMSUNG ELECTRONICS SAM Основные параметры K6T1008C2E-DB70 Организация памяти 128Kx8 Встроенная батарея нет Шина данных параллельная Питание 4,5…5,5 Вольт Температурный диапазон 0…+70

  • Документация и описание на SRAM память  K6T1008C2E-DB55
    admin  1984

    Документация и описание на SRAM память K6T1008C2E-DB55

    SRAM память K6T1008C2E-DB55 производства SAMSUNG ELECTRONICS SAM Основные параметры K6T1008C2E-DB55 Организация памяти 128Kx8 Встроенная батарея нет Шина данных параллельная Питание 4,5…5,5 Вольт Температурный диапазон 0…+70

  • Документация и описание на SRAM память  K6T0808C1D-GF70
    admin  1444

    Документация и описание на SRAM память K6T0808C1D-GF70

    SRAM память K6T0808C1D-GF70 производства SAMSUNG ELECTRONICS SAM Основные параметры K6T0808C1D-GF70 Организация памяти 32Kx8 Встроенная батарея нет Шина данных параллельная Питание 4,5…5,5 Вольт Температурный диапазон -40…+8

  • Документация и описание на SRAM память  K6R4016V1D-UI10T
    admin  1990

    Документация и описание на SRAM память K6R4016V1D-UI10T

    SRAM память K6R4016V1D-UI10T производства SAMSUNG ELECTRONICS SAM Основные параметры K6R4016V1D-UI10T Организация памяти 256kx16 Встроенная батарея нет Шина данных параллельная Питание 3,3 Вольт Температурный диапазон -40…+8