На сайте вы найдете документацию на огромное количество электронных компонентов.

K6X0808C1D-GF55

SRAM память K6X0808C1D-GF55 производства SAMSUNG ELECTRONICS SAM
Основные параметры K6X0808C1D-GF55
Организация памяти 32Kx8
Встроенная батарея нет
Шина данных параллельная
Питание 5 Вольт
Температурный диапазон -40…+85
Корпус SOIC28
Дополнительная информация




Документация на SRAM память K6X0808C1D-GF55.pdf в формате PDF K6X0808C1D-GF55




  admin         1777

Прокомментировать страницу

Заголовок (100 символов макс.)

Текс комметария

Последние новости раздела SRAM память

  • Документация и описание на SRAM память  K6X0808C1D-BF55
    admin  1747

    Документация и описание на SRAM память K6X0808C1D-BF55

    SRAM память K6X0808C1D-BF55 производства SAMSUNG ELECTRONICS SAM Основные параметры K6X0808C1D-BF55 Организация памяти 32Kx8 Встроенная батарея нет Шина данных параллельная Питание 5 Вольт Температурный диапазон -40…+85

  • Документация и описание на SRAM память  K6T4008C1C-GF70
    admin  1652

    Документация и описание на SRAM память K6T4008C1C-GF70

    SRAM память K6T4008C1C-GF70 производства SAMSUNG ELECTRONICS SAM Основные параметры K6T4008C1C-GF70 Организация памяти 512KX8 Встроенная батарея нет Шина данных параллельная Питание 4,5…5,5 Вольт Температурный диапазон -40…+

  • Документация и описание на SRAM память  K6T4008C1C-DB70
    admin  1410

    Документация и описание на SRAM память K6T4008C1C-DB70

    SRAM память K6T4008C1C-DB70 производства SAMSUNG ELECTRONICS SAM Основные параметры K6T4008C1C-DB70 Организация памяти 512KX8 Встроенная батарея нет Шина данных параллельная Питание 4,5…5,5 Вольт Температурный диапазон 0…+70

  • Документация и описание на SRAM память  K6T1008C2E-GF70
    admin  2028

    Документация и описание на SRAM память K6T1008C2E-GF70

    SRAM память K6T1008C2E-GF70 производства SAMSUNG ELECTRONICS SAM Основные параметры K6T1008C2E-GF70 Организация памяти 128Kx8 Встроенная батарея нет Шина данных параллельная Питание 4,5…5,5 Вольт Температурный диапазон -40…+

  • Документация и описание на SRAM память  K6T1008C2E-DB70
    admin  1855

    Документация и описание на SRAM память K6T1008C2E-DB70

    SRAM память K6T1008C2E-DB70 производства SAMSUNG ELECTRONICS SAM Основные параметры K6T1008C2E-DB70 Организация памяти 128Kx8 Встроенная батарея нет Шина данных параллельная Питание 4,5…5,5 Вольт Температурный диапазон 0…+70

  • Документация и описание на SRAM память  K6T1008C2E-DB55
    admin  1981

    Документация и описание на SRAM память K6T1008C2E-DB55

    SRAM память K6T1008C2E-DB55 производства SAMSUNG ELECTRONICS SAM Основные параметры K6T1008C2E-DB55 Организация памяти 128Kx8 Встроенная батарея нет Шина данных параллельная Питание 4,5…5,5 Вольт Температурный диапазон 0…+70

  • Документация и описание на SRAM память  K6T0808C1D-GF70
    admin  1442

    Документация и описание на SRAM память K6T0808C1D-GF70

    SRAM память K6T0808C1D-GF70 производства SAMSUNG ELECTRONICS SAM Основные параметры K6T0808C1D-GF70 Организация памяти 32Kx8 Встроенная батарея нет Шина данных параллельная Питание 4,5…5,5 Вольт Температурный диапазон -40…+8

  • Документация и описание на SRAM память  K6R4016V1D-UI10T
    admin  1986

    Документация и описание на SRAM память K6R4016V1D-UI10T

    SRAM память K6R4016V1D-UI10T производства SAMSUNG ELECTRONICS SAM Основные параметры K6R4016V1D-UI10T Организация памяти 256kx16 Встроенная батарея нет Шина данных параллельная Питание 3,3 Вольт Температурный диапазон -40…+8

  • Документация и описание на SRAM память  K6R4016V1D-UI10
    admin  2328

    Документация и описание на SRAM память K6R4016V1D-UI10

    SRAM память K6R4016V1D-UI10 производства SAM Основные параметры K6R4016V1D-UI10 Организация памяти 256kx16 Встроенная батарея нет Шина данных параллельная Питание 3,3 Вольт Температурный диапазон -40…+85 Корпус TSO

  • Документация и описание на SRAM память  K6R4016V1D-TI10
    admin  4013

    Документация и описание на SRAM память K6R4016V1D-TI10

    SRAM память K6R4016V1D-TI10 производства SAMSUNG ELECTRONICS SAM Основные параметры K6R4016V1D-TI10 Организация памяти 256kx16 Встроенная батарея нет Шина данных параллельная Питание 3,3 Вольт Температурный диапазон -40…+85