На сайте вы найдете документацию на огромное количество электронных компонентов.

K6T4008C1C-DB70

SRAM память K6T4008C1C-DB70 производства SAMSUNG ELECTRONICS SAM
Основные параметры K6T4008C1C-DB70
Организация памяти 512KX8
Встроенная батарея нет
Шина данных параллельная
Питание 4,5…5,5 Вольт
Температурный диапазон 0…+70
Корпус DIP32-600
Дополнительная информация




Документация на SRAM память K6T4008C1C-DB70.pdf в формате PDF K6T4008C1C-DB70




  admin         1410

Прокомментировать страницу

Заголовок (100 символов макс.)

Текс комметария

Последние новости раздела SRAM память