На сайте вы найдете документацию на огромное количество электронных компонентов.

K6T1008C2E-GF70

SRAM память K6T1008C2E-GF70 производства SAMSUNG ELECTRONICS SAM
Основные параметры K6T1008C2E-GF70
Организация памяти 128Kx8
Встроенная батарея нет
Шина данных параллельная
Питание 4,5…5,5 Вольт
Температурный диапазон -40…+85
Корпус SOP32-525
Дополнительная информация




Документация на SRAM память K6T1008C2E-GF70.pdf в формате PDF K6T1008C2E-GF70




  admin         2033

Прокомментировать страницу

Заголовок (100 символов макс.)

Текс комметария

Последние новости раздела SRAM память