На сайте вы найдете документацию на огромное количество электронных компонентов.

K6T1008C2E-DB55

SRAM память K6T1008C2E-DB55 производства SAMSUNG ELECTRONICS SAM
Основные параметры K6T1008C2E-DB55
Организация памяти 128Kx8
Встроенная батарея нет
Шина данных параллельная
Питание 4,5…5,5 Вольт
Температурный диапазон 0…+70
Корпус DIP32-600
Дополнительная информация




Документация на SRAM память K6T1008C2E-DB55.pdf в формате PDF K6T1008C2E-DB55




  admin         1986

Прокомментировать страницу

Заголовок (100 символов макс.)

Текс комметария

Последние новости раздела SRAM память