На сайте вы найдете документацию на огромное количество электронных компонентов.

K6R4016V1D-TI10

SRAM память K6R4016V1D-TI10 производства SAMSUNG ELECTRONICS SAM
Основные параметры K6R4016V1D-TI10
Организация памяти 256kx16
Встроенная батарея нет
Шина данных параллельная
Питание 3,3 Вольт
Температурный диапазон -40…+85
Корпус TSOP44
Дополнительная информация




Документация на SRAM память K6R4016V1D-TI10.pdf в формате PDF K6R4016V1D-TI10




  admin         4012

Прокомментировать страницу

Заголовок (100 символов макс.)

Текс комметария

Последние новости раздела SRAM память