На сайте вы найдете документацию на огромное количество электронных компонентов.

M29W320DB70N6

FLASH память M29W320DB70N6 производства ST MICROELECTRONICS ST
Основные параметры M29W320DB70N6
Организация памяти 2Mx16/4Mx8
Время доступа 70 нс
Количество циклов записи >104
Интерфейс параллельный
Питание 2,7...3,6 Вольт
Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 20/100
Температурный диапазон -40...+85
Корпус TSOP48
Дополнительная информация




Документация на FLASH память M29W320DB70N6.pdf в формате PDF M29W320DB70N6




  admin         1861

Прокомментировать страницу

Заголовок (100 символов макс.)

Текс комметария

Последние новости раздела FLASH память