На сайте вы найдете документацию на огромное количество электронных компонентов.

M29F400BB-70N6T

FLASH память M29F400BB-70N6T производства ST MICROELECTRONICS ST
Основные параметры M29F400BB-70N6T
Организация памяти 512Kx8/256Kx16
Время доступа 70 нс
Количество циклов записи >104
Интерфейс параллельный
Питание 5 Вольт
Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 20/100
Температурный диапазон -40...+85
Корпус TSOP48
Дополнительная информация




Документация на FLASH память M29F400BB-70N6.pdf в формате PDF M29F400BB-70N6T




  admin         1807

Прокомментировать страницу

Заголовок (100 символов макс.)

Текс комметария

Последние новости раздела FLASH память