На сайте вы найдете документацию на огромное количество электронных компонентов.

M29F010B-120P1

FLASH память M29F010B-120P1 производства ST MICROELECTRONICS ST
Основные параметры M29F010B-120P1
Организация памяти 128Kx8
Время доступа 120 нс
Количество циклов записи >104
Интерфейс параллельный
Питание 5 Вольт
Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 15/100
Температурный диапазон -40...+85
Корпус PLCC32
Дополнительная информация




Документация на FLASH память M29F010B-120P1.pdf в формате PDF M29F010B-120P1




  admin         1942

Прокомментировать страницу

Заголовок (100 символов макс.)

Текс комметария

Последние новости раздела FLASH память