M25P64-VMF6G PBF

Последние новости раздела FLASH память

• 
  admin  2012

  Документация и описание на FLASH память M25P64-VME6G PBF

  FLASH память M25P64-VME6G PBF производства ST Основные параметры M25P64-VME6G PBF Организация памяти 8Mx8 Время доступа 50МГц нс Количество циклов записи >105 Интерфейс SPI Питание 2,7
• 
  admin  2058

  Документация и описание на FLASH память M25P40-VMN6TP

  FLASH память M25P40-VMN6TP производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры M25P40-VMN6TP Организация памяти 512Kx8 Время доступа 40МГц нс Количество циклов записи >105 Интерфейс SPI Питание 2,7
• 
  admin  1664

  Документация и описание на FLASH память M25P40-VMN6P PBF

  FLASH память M25P40-VMN6P PBF производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры M25P40-VMN6P PBF Организация памяти 512Kx8 Время доступа 40МГц нс Количество циклов записи >105 Интерфейс SPI Питание 2,7
• 
  admin  1856

  Документация и описание на FLASH память M25P40-VMN6

  FLASH память M25P40-VMN6 производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры M25P40-VMN6 Организация памяти 512Kx8 Время доступа 40МГц нс Количество циклов записи >105 Интерфейс SPI Питание 2,7
• 
  admin  2370

  Документация и описание на FLASH память M25P32-VMF6TP PBF

  FLASH память M25P32-VMF6TP PBF производства ST Основные параметры M25P32-VMF6TP PBF Организация памяти 32Mb Время доступа 75МГц нс Количество циклов записи >105 Интерфейс SPI Питание 2,7
• 
  admin  1611

  Документация и описание на FLASH память M25P20-VMN6

  FLASH память M25P20-VMN6 производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры M25P20-VMN6 Организация памяти 256Kx8 Время доступа 40МГц нс Количество циклов записи >105 Интерфейс SPI Питание 2,7
• 
  admin  2801

  Документация и описание на FLASH память M25P16-VMN6P PBF

  FLASH память M25P16-VMN6P PBF производства ST Основные параметры M25P16-VMN6P PBF Организация памяти 16Mb Время доступа 75МГц нс Количество циклов записи >105 Интерфейс SPI Питание 2,7
• 
  admin  1998

  Документация и описание на FLASH память M25P10-VMN6

  FLASH память M25P10-VMN6 производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры M25P10-VMN6 Организация памяти 128Kx8 Время доступа 50МГц нс Количество циклов записи >105 Интерфейс SPI Питание 2,7
• 
  admin  2342

  Документация и описание на FLASH память K9F4G08U0A-PCB0T00

  FLASH память K9F4G08U0A-PCB0T00 производства SAM Основные параметры K9F4G08U0A-PCB0T00 Организация памяти 512М x 8 Время доступа 25 нс Количество циклов записи >105 Интерфейс параллельный Питание 2,7
• 
  admin  2620

  Документация и описание на FLASH память EPCS4SI8N

  FLASH память EPCS4SI8N производства ALTERA CORP