На сайте вы найдете документацию на огромное количество электронных компонентов.

M25P10-VMN6

FLASH память M25P10-VMN6 производства ST MICROELECTRONICS ST
Основные параметры M25P10-VMN6
Организация памяти 128Kx8
Время доступа 50МГц нс
Количество циклов записи >105
Интерфейс SPI
Питание 2,7...3,6 Вольт
Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 3/50
Температурный диапазон -40...+85
Корпус SO8
Дополнительная информация




Документация на FLASH память M25P10-VMN6.pdf в формате PDF M25P10-VMN6




  admin         1965

Прокомментировать страницу

Заголовок (100 символов макс.)

Текс комметария

Последние новости раздела FLASH память