На сайте вы найдете документацию на огромное количество электронных компонентов.

MX27C4000DC-12

EPROM память MX27C4000DC-12 производства MACRONIX INTERNATIONAL CO.LTD. MX
Основные параметры MX27C4000DC-12
Организация памяти 512Kx8
Время доступа 120 нс
Питание 5/12,5
Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 40/100
Температурный диапазон 0…+70
Корпус CERDIP32
Дополнительная информация




Документация на EPROM память в формате PDF Файл отсутствует




  admin         1479

Прокомментировать страницу

Заголовок (100 символов макс.)

Текс комметария

Последние новости раздела EPROM память

  • Документация и описание на EPROM память  M27C801-90F1
    admin  1969

    Документация и описание на EPROM память M27C801-90F1

    EPROM память M27C801-90F1 производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры M27C801-90F1 Организация памяти 1Mx8 Время доступа 90 нс Питание 5/12,75 Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 35/100 Температурный

  • Документация и описание на EPROM память  M27C801-120F1
    admin  1934

    Документация и описание на EPROM память M27C801-120F1

    EPROM память M27C801-120F1 производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры M27C801-120F1 Организация памяти 1Mx8 Время доступа 120 нс Питание 5/12,75 Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 35/100 Температурны

  • Документация и описание на EPROM память  M27C801-100F1
    admin  2771

    Документация и описание на EPROM память M27C801-100F1

    EPROM память M27C801-100F1 производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры M27C801-100F1 Организация памяти 1Mx8 Время доступа 100 нс Питание 5/12,75 Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 35/100 Температурный диапа

  • Документация и описание на EPROM память  M27C64A-10F1
    admin  1596

    Документация и описание на EPROM память M27C64A-10F1

    EPROM память M27C64A-10F1 производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры M27C64A-10F1 Организация памяти 8Kx8 Время доступа 100 нс Питание 5/12,5 Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 30/100 Температурный диапазон

  • Документация и описание на EPROM память  M27C512-90F6 PBF
    admin  1702

    Документация и описание на EPROM память M27C512-90F6 PBF

    EPROM память M27C512-90F6 PBF производства ST Основные параметры M27C512-90F6 PBF Организация памяти 64Kx8 Время доступа 90 нс Питание 5/12,75 Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 30/100 Температурный диапазон -40…+85

  • Документация и описание на EPROM память  M27C512-90F6
    admin  2050

    Документация и описание на EPROM память M27C512-90F6

    EPROM память M27C512-90F6 производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры M27C512-90F6 Организация памяти 64Kx8 Время доступа 90 нс Питание 5/12,75 Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 30/100 Температурный диапазо

  • Документация и описание на EPROM память  M27C512-15F6
    admin  1531

    Документация и описание на EPROM память M27C512-15F6

    EPROM память M27C512-15F6 производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры M27C512-15F6 Организация памяти 64Kx8 Время доступа 150 нс Питание 5/12,75 Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 30/100 Температурный диапаз

  • Документация и описание на EPROM память  M27C512-12F6
    admin  1694

    Документация и описание на EPROM память M27C512-12F6

    EPROM память M27C512-12F6 производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры M27C512-12F6 Организация памяти 64Kx8 Время доступа 120 нс Питание 5/12,75 Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 30/100 Температурный диапаз

  • Документация и описание на EPROM память  M27C512-12F3
    admin  2117

    Документация и описание на EPROM память M27C512-12F3

    EPROM память M27C512-12F3 производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры M27C512-12F3 Организация памяти 64Kx8 Время доступа 120 нс Питание 5/12,75 Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 30/100 Температурный диапаз

  • Документация и описание на EPROM память  M27C512-12F1
    admin  2617

    Документация и описание на EPROM память M27C512-12F1

    EPROM память M27C512-12F1 производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры M27C512-12F1 Организация памяти 64Kx8 Время доступа 120 нс Питание 5/12,75 Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 30/100 Температурный диапаз