На сайте вы найдете документацию на огромное количество электронных компонентов.

M27C512-90F6

EPROM память M27C512-90F6 производства ST MICROELECTRONICS ST
Основные параметры M27C512-90F6
Организация памяти 64Kx8
Время доступа 90 нс
Питание 5/12,75
Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 30/100
Температурный диапазон -40…+85
Корпус CERDIP28
Дополнительная информация




Документация на EPROM память M27C512-90F6.pdf в формате PDF M27C512-90F6




  admin         2050

Прокомментировать страницу

Заголовок (100 символов макс.)

Текс комметария

Последние новости раздела EPROM память

  • Документация и описание на EPROM память  M27C512-15F6
    admin  1531

    Документация и описание на EPROM память M27C512-15F6

    EPROM память M27C512-15F6 производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры M27C512-15F6 Организация памяти 64Kx8 Время доступа 150 нс Питание 5/12,75 Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 30/100 Температурный диапаз

  • Документация и описание на EPROM память  M27C512-12F6
    admin  1694

    Документация и описание на EPROM память M27C512-12F6

    EPROM память M27C512-12F6 производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры M27C512-12F6 Организация памяти 64Kx8 Время доступа 120 нс Питание 5/12,75 Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 30/100 Температурный диапаз

  • Документация и описание на EPROM память  M27C512-12F3
    admin  2117

    Документация и описание на EPROM память M27C512-12F3

    EPROM память M27C512-12F3 производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры M27C512-12F3 Организация памяти 64Kx8 Время доступа 120 нс Питание 5/12,75 Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 30/100 Температурный диапаз

  • Документация и описание на EPROM память  M27C512-12F1
    admin  2616

    Документация и описание на EPROM память M27C512-12F1

    EPROM память M27C512-12F1 производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры M27C512-12F1 Организация памяти 64Kx8 Время доступа 120 нс Питание 5/12,75 Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 30/100 Температурный диапаз

  • Документация и описание на EPROM память  M27C512-10F1
    admin  1529

    Документация и описание на EPROM память M27C512-10F1

    EPROM память M27C512-10F1 производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры M27C512-10F1 Организация памяти 64Kx8 Время доступа 100 нс Питание 5/12,75 Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 30/100 Температурный диапаз

  • Документация и описание на EPROM память  M27C4002-10F6
    admin  1452

    Документация и описание на EPROM память M27C4002-10F6

    EPROM память M27C4002-10F6 производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры M27C4002-10F6 Организация памяти 256Kx16 Время доступа 100 нс Питание 5/12,75 Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 50/100 Температурный ди

  • Документация и описание на EPROM память  M27C4002-10F1 PBF
    admin  1715

    Документация и описание на EPROM память M27C4002-10F1 PBF

    EPROM память M27C4002-10F1 PBF производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры M27C4002-10F1 PBF Организация памяти 256Kx16 Время доступа 100 нс Питание 5/12,75 Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 50/100 Температ

  • Документация и описание на EPROM память  M27C4001-12F1 PBF
    admin  1699

    Документация и описание на EPROM память M27C4001-12F1 PBF

    EPROM память M27C4001-12F1 PBF производства ST Основные параметры M27C4001-12F1 PBF Организация памяти 512Kx8 Время доступа 120 нс Питание 5/12,75 Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 30/100 Температурный диапазон 0…+70

  • Документация и описание на EPROM память  M27C4001-12F1
    admin  1797

    Документация и описание на EPROM память M27C4001-12F1

    EPROM память M27C4001-12F1 производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры M27C4001-12F1 Организация памяти 512Kx8 Время доступа 120 нс Питание 5/12,75 Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 30/100 Температурный диа

  • Документация и описание на EPROM память  M27C4001-10F1
    admin  1510

    Документация и описание на EPROM память M27C4001-10F1

    EPROM память M27C4001-10F1 производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры M27C4001-10F1 Организация памяти 512Kx8 Время доступа 100 нс Питание 5/12,75 Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 30/100 Температурный диа