|
|
Документация на EPROM память M27C256B-12F6.pdf в формате PDF M27C256B-12F6
|
|
EPROM память M27C256B-12F1 производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры M27C256B-12F1 Организация памяти 32Kx8 Время доступа 120 нс Питание 5/12,75 Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 30/100 Температурный диап
EPROM память M27C256B-10F1 производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры M27C256B-10F1 Организация памяти 32Kx8 Время доступа 100 нс Питание 5/12,75 Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 30/100 Температурный диап
EPROM память M27C2001-12F1 производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры M27C2001-12F1 Организация памяти 256Kx8 Время доступа 120 нс Питание 5/12,75 Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 30/100 Температурный диа
EPROM память M27C2001-10F1 PBF производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры M27C2001-10F1 PBF Организация памяти 256Kx8 Время доступа 100 нс Питание 5/12,75 Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 30/100 Температу
EPROM память M27C2001-10F1 производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры M27C2001-10F1 Организация памяти 256Kx8 Время доступа 100 нс Питание 5/12,75 Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 30/100 Температурный диа
EPROM память M27C160-100F1 PBF производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры M27C160-100F1 PBF Организация памяти 2Mx8;1Mx16 Время доступа 100 нс Питание 5/12,5 Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 70/100 Темпер
EPROM память M27C1001-12F1 производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры M27C1001-12F1 Организация памяти 128Kx8 Время доступа 120 нс Питание 5/12,75 Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 30/100 Температурный диа
EPROM память M27C1001-10F1 PBF производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры M27C1001-10F1 PBF Организация памяти 128Kx8 Время доступа 100 нс Питание 5/12,75 Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 30/100 Температу
EPROM память M27C1001-10F1 производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры M27C1001-10F1 Организация памяти 128Kx8 Время доступа 100 нс Питание 5/12,75 Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 30/100 Температурный диа
EPROM память HT27C512-70 PLCC производства HOLTEK SEMICONDUCTOR INC