|
|
Документация на EPROM память M27C2001-10F1.pdf в формате PDF M27C2001-10F1
|
|
EPROM память M27C160-100F1 PBF производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры M27C160-100F1 PBF Организация памяти 2Mx8;1Mx16 Время доступа 100 нс Питание 5/12,5 Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 70/100 Темпер
EPROM память M27C1001-12F1 производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры M27C1001-12F1 Организация памяти 128Kx8 Время доступа 120 нс Питание 5/12,75 Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 30/100 Температурный диа
EPROM память M27C1001-10F1 PBF производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры M27C1001-10F1 PBF Организация памяти 128Kx8 Время доступа 100 нс Питание 5/12,75 Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 30/100 Температу
EPROM память M27C1001-10F1 производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры M27C1001-10F1 Организация памяти 128Kx8 Время доступа 100 нс Питание 5/12,75 Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 30/100 Температурный диа
EPROM память HT27C512-70 PLCC производства HOLTEK SEMICONDUCTOR INC
EPROM память HT27C512-70 производства HOLTEK SEMICONDUCTOR INC
EPROM память AT27LV256A-15RI производства ATMEL CORP
EPROM память AT27C512R-90JI производства ATMEL CORP
EPROM память AT27C512R-90JC производства ATMEL CORP
EPROM память AT27C512R-70PU производства ATMEL Основные параметры AT27C512R-70PU Организация памяти 64Kx8 Время доступа 70 нс Питание 5/13 Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 20/100 Температурный диапазон -40…+85