На сайте вы найдете документацию на огромное количество электронных компонентов.

SST39SF010-70-4C-NH

Электрически стираемая (EEPROM) память SST39SF010-70-4C-NH производства SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC. SST
Основные параметры SST39SF010-70-4C-NH
Организация памяти 1Mx8
Время доступа 70 нс
Количество циклов записи 105
Интерфейс параллельный
Питание 5
Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 10/30
Температурный диапазон 0…+70
Корпус DIP32-600
Дополнительная информация




Документация на EEPROM память SST39SF010-70-4.pdf в формате PDF SST39SF010-70-4C-NH




  admin         1898

Прокомментировать страницу

Заголовок (100 символов макс.)

Текс комметария

Последние новости раздела EEPROM памяти