На сайте вы найдете документацию на огромное количество электронных компонентов.

SST29EE512-90-4C-PH

Электрически стираемая (EEPROM) память SST29EE512-90-4C-PH производства SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC. SST
Основные параметры SST29EE512-90-4C-PH
Организация памяти 64Кх8
Время доступа 90 нс
Количество циклов записи 105
Интерфейс параллельный
Питание 5
Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 20/10
Температурный диапазон 0…+70
Корпус DIP32-600
Дополнительная информация




Документация на EEPROM память SST29EE512-90-4C-PH.pdf в формате PDF SST29EE512-90-4C-PH




  admin         1546

Прокомментировать страницу

Заголовок (100 символов макс.)

Текс комметария

Последние новости раздела EEPROM памяти