На сайте вы найдете документацию на огромное количество электронных компонентов.

SST29EE010-90-4C-NH

Электрически стираемая (EEPROM) память SST29EE010-90-4C-NH производства SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC. SST
Основные параметры SST29EE010-90-4C-NH
Организация памяти 128Kx8
Время доступа 90 нс
Количество циклов записи 105
Интерфейс параллельный
Питание 5
Ток потребления запись/ожидание (мА/мкА) 20/10
Температурный диапазон 0…+70
Корпус PLCC32
Дополнительная информация




Документация на EEPROM память SST29EE010-90-4.pdf в формате PDF SST29EE010-90-4C-NH




  admin         1616

Прокомментировать страницу

Заголовок (100 символов макс.)

Текс комметария

Последние новости раздела EEPROM памяти