|
|
Документация на EEPROM память в формате PDF Файл отсутствует
|
|
Электрически стираемая (EEPROM) память M24128-BN6 производства ST MICROELECTRONICS ST Основные параметры M24128-BN6 Организация памяти 128x8 Время доступа 10000 нс Количество циклов записи 106 Интерфейс I2C Питание 1,8
Электрически стираемая (EEPROM) память FM25L512-DG производства RAMTRON INTERNATIONAL CORP
Электрически стираемая (EEPROM) память FM25L256-G производства RAMTRON INTERNATIONAL CORP
Электрически стираемая (EEPROM) память FM25L16-GTR производства RAMTRON Основные параметры FM25L16-GTR Организация памяти 2Kx8 Время доступа 5 нс Количество циклов записи неогр
Электрически стираемая (EEPROM) память FM25CL64-GTR производства RAMTRON INTERNATIONAL CORP
Электрически стираемая (EEPROM) память FM25256-S производства RAMTRON INTERNATIONAL CORP
Электрически стираемая (EEPROM) память FM24C04A-S SMD производства RAMTRON INTERNATIONAL CORP
Электрически стираемая (EEPROM) память FM20L08-60-TG PBF производства RAMTRON INTERNATIONAL CORP
Электрически стираемая (EEPROM) память FM1106 PBF производства RAMTRON Основные параметры FM1106 PBF Организация памяти 1 Время доступа 50 нс Количество циклов записи 1012 Интерфейс параллельный Питание 2,7…3,6 Ток
Электрически стираемая (EEPROM) память FM1105 PBF производства RAMTRON Основные параметры FM1105 PBF Организация памяти 1 Время доступа 50 нс Количество циклов записи 1012 Интерфейс параллельный Питание 4,5…5,5 Ток